Composants électroniques basiques/Transistors

**Transistors**
Leçon : Composants électroniques basiques

Chapitre n^o 2
Chap. préc. :	Diode

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Composants électroniques basiques/Transistors », n'a pu être restituée correctement ci-dessus.

Transistors bipolaires[modifier | modifier le wikicode]

Inventé en 1948 par trois ingénieurs américains. Ils reçoivent le prix Nobel en 1956.

On trace l’équation suivante : i_c = f(i_b).

Ce comportement se comporte comme un interrupteur commandable. On a donc un circuit de commande constitué des branches b et e, ainsi qu'un circuit de puissance, constitué des branches c et e.

Schématiquement, on a trois comportements possibles.

Zone	1	2	3
Symbole		∅
Nom	Interrupteur ouvert	Amplificateur	Interrupteur fermé
Caractéristiques	i_b = 0 A i_c = 0 A U_ce > 0 V Valeur dépendant de l’environnement électrique du transistor. On dit que le transistor est bloqué ou non passant ou OFF.	i_c = β × i_b où β est le coefficient directeur d'amplification tel que 20 < β < 400	i_b >> 0 A i_c > 0 A La valeur dépend du montage. U_ce = U_{ce sat} (saturé) On dit que le transistor est saturé ou passant ou ON.

Transistors à l’effet de champs[modifier | modifier le wikicode]

Symbole électronique d'un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET, en anglais *metal-oxide-semiconductor field-effect transistor*)

Ce comportement se comporte comme un circuit commandable avec les bornes grilles et source ainsi qu'un circuit de puissance avec des bornes drain et source.

Schématiquement, on a deux comportements possibles.

Zone	1	2
Symbole
Nom	Interrupteur ouvert	Interrupteur fermé
Caractéristiques	V_gs < V_{gs th} i_d = 0 A V_ds > 0 V	V_gs > V_{gs th} i_d > 0 A V_ds ≈ 0 V

Composants électroniques basiques/Transistors

Transistors bipolaires[modifier | modifier le wikicode]

Transistors à l’effet de champs[modifier | modifier le wikicode]

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