Leçons de niveau 12

Composants électroniques basiques/Transistors

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Transistors
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Chapitre no 2
Leçon : Composants électroniques basiques
Chap. préc. :Diode
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Transistors bipolaires[modifier | modifier le wikicode]

Inventé en 1948 par trois ingénieurs américains. Ils reçoivent le prix Nobel en 1956.

Symbole électronique.
  • C : collecteur
  • B : base
  • E : émetteur

On trace l’équation suivante : ic = f(ib).

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Ce comportement se comporte comme un interrupteur commandable. On a donc un circuit de commande constitué des branches b et e, ainsi qu'un circuit de puissance, constitué des branches c et e.

Schématiquement, on a trois comportements possibles.

Zone 1 2 3
Symbole Il manque une image pour illustrer cette page ou section. Il manque une image pour illustrer cette page ou section.
Nom Interrupteur ouvert Amplificateur Interrupteur fermé
Caractéristiques
  • ib = 0 A
  • ic = 0 A
  • Uce > 0 V

Valeur dépendant de l’environnement électrique du transistor.

On dit que le transistor est bloqué ou non passant ou OFF.

  • ic = β × ib

β est le coefficient directeur d'amplification tel que 20 < β < 400

  • ib >> 0 A
  • ic > 0 A

La valeur dépend du montage.

  • Uce = Uce sat (saturé)

On dit que le transistor est saturé ou passant ou ON.

Transistors à l’effet de champs[modifier | modifier le wikicode]

Symbole électronique d'un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET, en anglais metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)

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Ce comportement se comporte comme un circuit commandable avec les bornes grilles et source ainsi qu'un circuit de puissance avec des bornes drain et source.

Schématiquement, on a deux comportements possibles.


Zone 1 2
Symbole Il manque une image pour illustrer cette page ou section. Il manque une image pour illustrer cette page ou section.
Nom Interrupteur ouvert Interrupteur fermé
Caractéristiques
  • Vgs < Vgs th
  • id = 0 A
  • Vds > 0 V
  • Vgs > Vgs th
  • id > 0 A
  • Vds ≈ 0 V