Composants électroniques basiques/Transistors

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Transistors bipolaires

Inventé en 1948 par trois ingénieurs américains. Ils reçoivent le prix Nobel en 1956.

Symbole électronique.

• C : collecteur
• B : base
• E : émetteur

On trace l’équation suivante : i_c = f(i_b).

Ce comportement se comporte comme un interrupteur commandable. On a donc un circuit de commande constitué des branches b et e, ainsi qu'un circuit de puissance, constitué des branches c et e.

Schématiquement, on a trois comportements possibles.

Zone	1	2	3
Symbole		∅
Nom	Interrupteur ouvert	Amplificateur	Interrupteur fermé
Caractéristiques	ib = 0 A ic = 0 A Uce > 0 V Valeur dépendant de l’environnement électrique du transistor. On dit que le transistor est bloqué ou non passant ou OFF.	ic = β × ib où β est le coefficient directeur d'amplification tel que 20 < β < 400	ib >> 0 A ic > 0 A La valeur dépend du montage. Uce = Uce sat (saturé) On dit que le transistor est saturé ou passant ou ON.

Transistors à l’effet de champs

Symbole électronique d'un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET, en anglais metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)

Ce comportement se comporte comme un circuit commandable avec les bornes grilles et source ainsi qu'un circuit de puissance avec des bornes drain et source.

Schématiquement, on a deux comportements possibles.

Zone	1	2
Symbole
Nom	Interrupteur ouvert	Interrupteur fermé
Caractéristiques	Vgs < Vgs th id = 0 A Vds > 0 V	Vgs > Vgs th id > 0 A Vds ≈ 0 V