« Discussion:Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions
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Il ne devrait donc pas apparaître ici, mais sur une page dédiée. |
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:Vous pouvez créer le 3ème chapitre sur cette famille de transistor. [[Utilisateur:Crochet.david|Crochet.david]] ([[Discussion utilisateur:Crochet.david|discussion]]) 14 avril 2020 à 08:27 (UTC) |
:Vous pouvez créer le 3ème chapitre sur cette famille de transistor pour y expliciter ses caractéristiques. [[Utilisateur:Crochet.david|Crochet.david]] ([[Discussion utilisateur:Crochet.david|discussion]]) 14 avril 2020 à 08:27 (UTC) |
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Version du 14 avril 2020 à 08:27
Il faudrait parler de Ic= Béta*Ib; --193.49.246.193 9 mars 2009 à 15:37 (UTC)
IGBT n'a pas sa place ici
IGBT est un transistor composite : un circuit de composants élémentaires (Devices).
Ça crée donc une confusion.
Il ne devrait donc pas apparaître ici, mais sur une page dédiée.
— Le message qui précède, non signé?, a été déposé par 80.119.119.68 (d · c · b · s).
- Vous pouvez créer le 3ème chapitre sur cette famille de transistor pour y expliciter ses caractéristiques. Crochet.david (discussion) 14 avril 2020 à 08:27 (UTC)