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==Puissance dissipée==
==Puissance dissipée==


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Le point de fonctionnement '''doit toujours se situer à l'interieur d'une zone, appelée aire de sécurité''', délimitée dans le réseau IC=f(Vce) par le courant direct maximal admissible Icmax, la tension collecteur/émetteur maximale Vcemax, et la puissance maximale Pdmax que peut dissiper le transistor.
|Le point de fonctionnement '''doit toujours se situer à l'interieur d'une zone, appelée aire de sécurité''', délimitée dans le réseau IC=f(Vce) par le courant direct maximal admissible Icmax, la tension collecteur/émetteur maximale Vcemax, et la puissance maximale Pdmax que peut dissiper le transistor.


La puissance que doit donc dissiper le transistor vaut : <math>\textstyle P = V_{BE}\times I_B + V_{CE}\times I_C\;</math>
La puissance que doit donc dissiper le transistor vaut :
{{Résultat|<math>\textstyle P = V_{BE}\times I_B + V_{CE}\times I_C\;</math>}}


* <span style="color:#0000FF;">'''1'''</span> : <math>\textstyle I_{Cmax}\;</math>
* <span style="color:#FF0000;">'''2'''</span> : <math>\textstyle V_{CEmax}\;</math>
* <span style="color:#C01080;">'''3'''</span> : « hyperbole de dissipation » <math>\textstyle P_d = I_C.V_{CE} \Rightarrow I_C = \frac {P_{dmax}}{V_{CE}}\;</math>
* <span style="color:#008000;">'''4'''</span> : Résistance interne du transistor (on retrouve la courbe grâce à U = R.I)
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Version du 10 octobre 2007 à 19:19

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Le transistor bipolaire
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Chapitre no {{{numéro}}}
Leçon : Transistor
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Transistor/Transistor bipolaire
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Les différents familles de Transistors bipolaires

Les transistors bipolaires (BIP ou BJT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accès de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accès de commande
Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accès de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accès de commande


Ces différents familles de transistors se distinguent les uns des autres par des paramètres tel que :

  • la chute de tension à l'état passant ou état conducteur
  • la vitesse de commutation d'un état à un autre
  • la manière dont le circuit de commande fixe l'état, conducteur ou bloqué, de l'élément : commande par une source de courant ou par une source de tension, ...

Remarques : Ce sont des interrupteurs unidirectionnels en courant et tension. La commande permet d'obtenir l'état conducteur ou bloqué du transistor. Les commandes sont toujours commandées (seule l'ouverture peut se faire par passage par 0 du courant).

Les types de transistors

On distingue deux types de transistors : les NPN et les PNP. Leurs fonctionnements sont analogues, seules les intensités des courants changent.

Structurellement parlant, les NPN sont l'association de deux semi-conducteurs dopés N (Négativement) et un dopé P (Positivement). Les PNP sont l'inverse.

Pour la suite du chapitre, je n'étudierai que les NPN puisque pour les PNP il suffit de retourner toutes les grandeurs (exemple : si pour un NPN, alors pour un PNP , soit ).

Symboles et conventions

NPN : Toutes les grandeurs sont positives PNP : Toutes les grandeurs sont négatives

Remarque : La seule différence de symbolisation se situe sur le sens de la flèche de l'émetteur.

Fonctionnement en commutation

Transistor bloqué

Transistor saturé

Remarque : Plus le transistor est saturé, plus l'injection de porteurs entraîne une charge stockée importante dans la base. Cette charge devra être extraite pour bloquer le transistor (passage par 0 du courant).

Conditions de blocage et de saturation

On retiendra :

  • Le blocage est caractérisé par un courant de base nul ou négatif ( n'est pas nulle)
  • La saturation est caractérisée par un courant de base tel que : et

Puissance dissipée

Le point de fonctionnement doit toujours se situer à l'interieur d'une zone, appelée aire de sécurité, délimitée dans le réseau IC=f(Vce) par le courant direct maximal admissible Icmax, la tension collecteur/émetteur maximale Vcemax, et la puissance maximale Pdmax que peut dissiper le transistor.

La puissance que doit donc dissiper le transistor vaut :

  • 1 :
  • 2 :
  • 3 : « hyperbole de dissipation »
  • 4 : Résistance interne du transistor (on retrouve la courbe grâce à U = R.I)