« Transistor/Transistor MOSFET » : différence entre les versions

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=== Régime de saturation ===
 
Dans certaines conditions, le courant traversant le MOSFET ne dépend plus de la tension <math>V_{DS}</math><ref>En pratique, ce [[courant]] dépend ''encore'' — quoique faiblement — de ''V<sub>DS</sub>'', mais cela n'a pas une grande incidence ici.</ref>, mais uniquement de la tension entre la grille et la source <math>V_{GS}</math> :
 
<math>I_{DS} = \frac{K}{2}(V_{GS}-V_{TH})^2</math>
 
En petits signaux, on peut alors remplacer le transistor par un modèle équivalent composé d’un générateur de courant commandé en tension, en parallèle avec une résistance <math>r_0</math>. Les valeurs du courant et de la résistance sont donnés par :
<math>I_D = g_m v_{DS}\bar{\bar{\bar{a}}}</math> et
<math>r_0 = \frac{|U_x|}{I_D}</math>
où la transductance est <math>g_m = 2\sqrt{K.I_D} = \frac{2I_D}{V_{GS}-V_{TH}}</math>, et <math>U_X</math> est la tension d'Early.
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