« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions

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En cas de forte injection dans la base, le courant circule par conduction entre C et E.
En cas de forte injection dans la base, le courant circule par conduction entre C et E.
Dans ce fonctionnement là, <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> et <math>\scriptstyle V_{bc}\;</math> sont positives (jonctions polarisées en direct) et <math>\scriptstyle i_B > \frac {i_c}{\beta}\;</math>. <math>\scriptstyle \beta\;</math> étant le gain en courant du transistor. Il est donné par le constructeur.
Dans ce fonctionnement là, <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> et <math>\scriptstyle V_{bc}\;</math> sont positives (jonctions polarisées en direct) et <math>\scriptstyle i_B > \frac {i_c}{\beta}\;</math>. <math>\scriptstyle \beta\;</math> étant le gain en courant du transistor. Il est donné par le constructeur.
On observe alors <math>\scriptstyle V_{CEsat} \approx 0,3 V\;</math> alors que <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> est égale à la tension de seuil d'une diode en direct, c'est-à-dire <math>\scriptstyle V_{be} \approx 0,7 V\;</math>.
On observe alors <math>\scriptstyle V_{CEsat} \approx {{Unité|0.3|{{abréviation|V|volt}}}}\;</math> alors que <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> est égale à la tension de seuil d'une diode en direct, c'est-à-dire <math>\scriptstyle V_{be} \approx {{Unité|0.7|{{abréviation|V|volt}}}}\;</math>.
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Version du 9 décembre 2012 à 11:34

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Transistor bipolaire
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Chapitre no 1
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Transistor/Transistor bipolaire
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Les différentes familles de Transistors bipolaires

Les transistors bipolaires (BIP ou BJT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) constituent l'accès de puissance, la base (B) et l'émetteur l'accès de commande
Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) dont le collecteur (C) et l'émetteur (E) forment l'accès de puissance, la grille (G) et l'émetteur l'accès de commande

Ces différents familles de transistors se distinguent les uns des autres par des paramètres tel que :

  • la chute de tension à l'état passant ou état conducteur
  • la vitesse de commutation d'un état à un autre
  • la manière dont le circuit de commande fixe l'état, conducteur ou bloqué, de l'élément : commande par une source de courant ou par une source de tension, ...

Remarques : Ce sont des interrupteurs unidirectionnels en courant et tension. La commande permet d'obtenir l'état conducteur ou bloqué du transistor. Les commandes sont toujours commandées (seule l'ouverture peut se faire par passage par 0 du courant).

Les types de transistors

On distingue deux types de transistors : les NPN et les PNP. Leurs fonctionnements sont analogues, seules les intensités des courants changent.

Structurellement parlant, les NPN sont l'association de deux semi-conducteurs dopés N (Négativement) et un dopé P (Positivement). Les PNP sont l'inverse.

Pour la suite du chapitre, je n'étudierai que les NPN puisque pour les PNP il suffit de retourner toutes les grandeurs (exemple : si pour un NPN, alors pour un PNP , soit ).

Symboles et conventions

NPN : Toutes les grandeurs sont positives PNP : Toutes les grandeurs sont négatives

Remarque : La seule différence de symbolisation se situe sur le sens de la flèche de l'émetteur.

Fonctionnement en commutation

Transistor bloqué

Transistor saturé


Conditions de blocage et de saturation

On retiendra :

  • Le blocage est caractérisé par un courant de base nul ou négatif ( n'est pas nulle)
  • La saturation est caractérisée par un courant de base tel que : et

Puissance dissipée

Le point de fonctionnement doit toujours se situer à l'intérieur d'une zone, appelée aire de sécurité, délimitée dans le réseau par le courant direct maximal admissible , la tension collecteur/émetteur maximale , et la puissance maximale que peut dissiper le transistor.

La puissance que doit donc dissiper le transistor vaut :

  • 1 :
  • 2 :
  • 3 : « hyperbole de dissipation »
  • 4 : Résistance interne du transistor (on retrouve la courbe grâce à U = R.I)