« Transistor/Transistor bipolaire » : différence entre les versions

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|[[Fichier:Transistor IGBT.png|130px]]
|}
 
<br \>
Ces différents familles de transistors se distinguent les uns des autres par des paramètres tel que :
* la chute de tension à l'état passant ou état conducteur
=== Transistor bloqué ===
 
{{Propriété
{{Propriété|titre=Propriété du transistor bloqué (état ouvert)|contenu='''Le transistor bloqué est équivalent à un interrupteur ouvert entre C et E.'''
| titre = Propriété du transistor bloqué (état ouvert)
Il est bloqué si la tension <math>\scriptstyle V_{ce}\;</math> étant positive, le courant de base est nul ou négatif. Cet état s'obtient donc en laissant la base en circuit ouvert (« en l'air »), soit en reliant la base à l'émetteur par l'intermédiaire d'une résistance, soit avec une source de tension négative en série avec une résistance.}}
| contenu =
{{Propriété|titre=Propriété du transistor bloqué (état ouvert)|contenu='''Le transistor bloqué est équivalent à un interrupteur ouvert entre C et E.'''
Il est bloqué si la tension <math>\scriptstyle V_{ce}\;</math> étant positive, le courant de base est nul ou négatif. Cet état s'obtient donc en laissant la base en circuit ouvert (« en l'air »), soit en reliant la base à l'émetteur par l'intermédiaire d'une résistance, soit avec une source de tension négative en série avec une résistance.}}
}}
 
=== Transistor saturé ===
 
{{Propriété
{{Propriété|titre=Propriété du transistor saturé (état fermé)|contenu='''Le transistor saturé est équivalent à un interrupteur fermé entre C et E.'''
| titre = Propriété du transistor saturé (état fermé)
| contenu =
{{Propriété|titre=Propriété du transistor saturé (état fermé)|contenu='''Le transistor saturé est équivalent à un interrupteur fermé entre C et E.'''
En cas de forte injection dans la base, le courant circule par conduction entre C et E.
Dans ce fonctionnement là, <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> et <math>\scriptstyle V_{bc}\;</math> sont positives (jonctions polarisées en direct) et <math>\scriptstyle i_B > \frac {i_c}{\beta}\;</math>. <math>\scriptstyle \beta\;</math> étant le gain en courant du transistor. Il est donné par le constructeur.
On observe alors <math>\scriptstyle V_{CEsat} \approx 0,3 V\;</math> alors que <math>\scriptstyle V_{be}\;</math> est égale à la tension de seuil d'une diode en direct, c'est-à-dire <math>\scriptstyle V_{be} \approx 0,7 V\;</math>.}}
}}
 
{{Remarque
''Remarque'' : Plus le transistor est saturé, plus l'injection de porteurs entraîne une charge stockée importante dans la base. Cette charge devra être extraite pour bloquer le transistor (passage par 0 du courant).
| contenu =
''Remarque'' : Plus le transistor est saturé, plus l'injection de porteurs entraîne une charge stockée importante dans la base. Cette charge devra être extraite pour bloquer le transistor (passage par 0 du courant).
}}
 
=== Conditions de blocage et de saturation ===
{| border="0"
|-
|Le point de fonctionnement '''doit toujours se situer à l'interieurintérieur d'une zone, appelée aire de sécurité''', délimitée dans le réseau IC<math>I_C=f(VceV_{ce})</math> par le courant direct maximal admissible Icmax<math>I_{c_{max}}</math>, la tension collecteur/émetteur maximale Vcemax<math>V_{ce_{max}}</math>, et la puissance maximale Pdmax<math>P_{d_{max}}</math> que peut dissiper le transistor.
 
La puissance que doit donc dissiper le transistor vaut :
{{Résultat
{{Résultat | <math>\textstyle P = V_{BE}\times I_B + V_{CE}\times I_C\;</math>}}
}}
 
* <span style="color:#0000FF;">'''1'''</span> : <math>\textstyle I_{CmaxC_{max}}\;</math>
* <span style="color:#FF0000;">'''2'''</span> : <math>\textstyle V_{CEmaxCE_{max}}\;</math>
* <span style="color:#C01080;">'''3'''</span> : « hyperbole de dissipation » <math>\textstyle P_d = I_C.V_{CE} \Rightarrow I_C = \frac {P_{dmaxd_{max}}}{V_{CE}}\;</math>
* <span style="color:#008000;">'''4'''</span> : Résistance interne du transistor (on retrouve la courbe grâce à U = R.I)
|[[Fichier:Transistor BJT puissance.png|300px]]

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